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德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉(HKZ系列) 相继落户中国科学院固体物理研究所和南昌大学
 
   近日,德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉(HKZ系列)分别在中国科学院固体物理研究所和南昌大学顺利完成了安装调试。
  光学浮区法单晶生长工艺具有无需坩埚、无污染、生长快速、易于实时观察晶体生长状态等诸多优点,有利于缩短晶体的研究周期并加快难以生长晶体的研究进展,非常适合晶体生长研究,近年来备受关注,现已被广泛应用于各种超导材料、介电和磁性材料以及其它各种氧化物及金属间化合物的单晶生长。 
图1:现场安装培训

图2:现场安装培训 
  目前,高熔点、易挥发性材料的浮区法单晶生长是一大棘手问题,德国SciDre公司推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉成功地克服了这一技术难题。HKZ可提供最高达3000℃以上的生长温度,晶体生长腔最大压力可达300bar。HKZ的诞生进一步优化了光学浮区法单晶炉的生长工艺条件,使得高熔点、易挥发性材料的单晶生长成为了可能。

图3:德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉
  德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉技术特色:
♦  能够同时实现最高压力300bar大气压(选配)和最高温度>3000℃(选配);
♦  能够分别独立控制不同气体的流速和流量,能够实现样品生长的气体定速定量混合反应;
♦  在保持灯泡输出功率恒定的情况下,采用调节光阑(shutter)的方式对熔区进行控温,从而能够有效延长灯泡使用寿命;
♦  能够针对不同温度需求采用不同功率的灯泡,从而对灯泡进行有效利用,最大化灯泡使用效率和寿命;
♦  拥有丰富的功能选件可进行选择和拓展,包括专利熔区红外测温选件、最高1×10-5mbar的高级真空选件、实现氧含量达10-12PPM的气体除杂选件、对长成的单晶可提供高压氧环境退火装置选件。

图4:德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉原理示意图
  Quantum Design 团队在中国科学院固体物理研究所和南昌大学进行的德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉(HKZ系列)的安装调试工作受到了客户和制造商的一致好评。我们也祝愿广大Quantum Design用户科研顺利!
 
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